全球硅襯底LED技術領導者——晶能光電近期推出了380-410nm高光效UVA LED產品。采用獨特的UV-LED外延技術，克服發光效率低于藍光LED和電子和空穴不易被束縛在發光層中的難點，性能達到國際一流水平。

從第三方測試結果來看，晶能光電UVA-LED表現出優異的性能指標，半導體照明聯合創新國家重點實驗室測試結果顯示峰值外量子效率達到了67%， 亮度達到?700mW@350mA，1000mW@500mA，發光效率和藍光LED芯片相當，同時Droop遠遠優于藍光LED芯片。

此次發布共有三種結構大功率垂直結構、倒裝結構及橫向結構，共6個規格的產品。其中大功率垂直結構芯片規格為45×45mil，采用的是硅襯底LED技術；倒裝結構芯片規格有?35×35mil和45×45mil，主要性能指標見下表：

橫向結構芯片包括各種功率范圍，規格有11×16mil，15×29mil和45×45mil。各芯片的性能和應用范圍如下表。

晶能光電對發布產品做了大量的可靠性實驗。395nm倒裝結構45×45mil芯片，采用陶瓷封裝后，在PCB板溫度為85度和老化電流700mA的條件下，1000小時持續點亮后測試，其反向漏電0.6uA，光衰-2.48%。

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晶能光電此次推出的UVA LED產品具有高性能、高可靠性的優勢，現提供樣品，并可按標準交貨時間進行量產。