5月14日上午，由中國電子材料行業協會和中國半導體照明/LED產業與應用聯盟聯合主辦的“2015?LED配套材料產業交流對接會”在寧波順利舉行。晶能光電陳振博士受邀出席，并在大會上與參會人員分享了硅襯底LED技術和紫外LED研究的最新進展。

自2012年硅襯底大功率LED芯片量產以來，晶能光電硅襯底大功率LED產品得到快速提升。以45mil硅襯底大功率LED芯片為例，封裝后藍光輸出功率達700mW@350mA，白光LED光效可達150lm/W。

在深厚的LED外延和芯片技術的基礎上，晶能光電將GaN-LED產品線延展至紫外LED，推出了370-410nm高光效UVA LED產品，采用獨特的UV-LED外延技術，克服發光效率低于藍光LED和電子空穴不易被束縛在發光層中的難點，性能達到國際一流水平。

從第三方測試結果來看，晶能光電UVA-LED表現出優異的性能指標，半導體照明聯合創新國家重點實驗室測試結果顯示峰值外量子效率達到了67%， 350mA和500mA條件下，亮度可分別達到700mW和1000mW，發光效率和藍光LED芯片相當，Droop遠遠優于藍光LED芯片。同時，晶能光電UVA-LED產品具有優異的可靠性，以395nm倒裝結構45×45mil芯片，采用陶瓷封裝后，在PCB板溫度為85度和老化電流700mA的條件下，1000小時持續點亮后測試，其反向漏電0.6uA，光衰為-2.48%；在1000mA老化1000小時后，光衰小于10%。

目前，晶能光電紫外LED芯片結構包括橫向、倒裝和垂直三種主流結構，涵蓋大中小功率范圍，可以滿足近紫外波段用戶的各種需求，已出口韓國等國家，受到用戶的一致好評。

會上，陳振博士還介紹了紫外LED外延設計的重要性，詳細闡述了極化場對量子阱的影響。晶能光電在紫外LED技術領域的成績得到與會專家和同行的高度認可。