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      LED顯示照明行業新十年|硅基Mini LED顯示

      時間:2021-08-04 來源: 點擊:1717


      LED行業每十年左右迎來一輪大的技術和應用升級。十年前以大尺寸背光、小間距顯示為代表的應用升級,驅動了2010-2017年LED行業的繁榮。而結合目前芯片價格上漲、中國臺灣產業鏈營收回暖等跡象,LED行業拐點正在來臨,下游需求向好疊加技術升級推動行業景氣抬升,Mini/Micro LED將開啟下一個十年。


      LED日趨微型化,Mini & Micro LED應運而生, Mini?LED背光產品對提升顯示質量效果顯著, Mini LED背光商業化進展迅速,有望成為液晶高端顯示器解決方案。專家預測Mini & Micro LED直顯可能是未來最優的顯示技術;高畫質、低能耗特點使其在消費電子市場優勢盡顯。


      2021年8月4日,深圳市照明與顯示工程行業協會、惠州仲愷高新區LED品牌發展促進會、廣州國際照明展覽會在廣州國際照明展9.2號館E60聯合主辦主題為“LED顯示照明行業新十年”的Mini & Micro LED顯示照明發展高峰論壇。

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      大會現場


      晶能芯片中心總監楊小東出席Mini & Micro LED顯示照明發展高峰論壇并做《硅基LED Mini超高清顯示屏應用趨勢》主題演講。

      晶能芯片中心總監? 楊小東


      以下是報告主要內容:


      晶能硅基垂直芯片方案有三大優勢:

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      01

      Mini LED顯示方案


      晶能TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案簡介:

      ????? TFFC: 一般指經過襯底剝離的薄膜LED芯片,做成倒裝結構,稱為thin film flip chip,薄膜倒裝LED芯片或者去襯底倒裝LED芯片,簡稱TFFC。

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      晶能P0.6—P0.3顯示方案TFFC 2*4mil芯片簡介:

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      VTF/TFFC 芯片實現P0.6—0.3技術方案介紹:

      ????? 由于現有四元紅光去襯底后機械強度不夠,在極小芯片尺寸下進行轉移的過程中容易碎裂,很難進行后續的工藝生產。晶能將以下兩個技術路線為主要研發方向:

      技術路線一:

      ????? RGB三色均采用InGaN TFFC ,LED外延、芯片制程統一。硅基InGaN紅光LED取得巨大突破,為該技術提供可能。

      技術路線二:

      ???? TFFC芯片+量子點/KSF紅光(QD/KSF+藍光InGaNLED),采用印刷、噴涂、打印等技術,在藍光LED表面放置QD或者KSF熒光粉得到紅色的LED。

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      TFFC、FC與Micro芯片對比(實現P0.6以下間距顯示):

      ???? 用Micro芯片技術的約70%去實現Mini顯示,降低了技術難度,同時可以讓4k、8k超高清顯示的LED芯片成本大幅度降低,大量量產有機會在2年內實現。



      02

      硅基Mini LED芯片進展


      晶能硅基Mini LED 產品量產規劃:

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      4K、8K Mini超高清顯示大屏在5G技術的驅動下勢不可擋,晶能硅基Mini LED芯片技術路線有機會提供一個超高性價比光源解決方案。


      03

      硅基Micro?LED芯片展望


      Micro LED預研:

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      世界范圍內主流Micro的研究方向還是以硅襯底GaN ?LED去襯底技術路線為主,由于硅襯底GaN與硅半導體晶圓的物理兼容性,可以最大效能利用晶能現有資源,同時避開巨量轉移問題,公司優先著力Micro LED微顯示研究,應用AR/VR/HUD/HMD等方向。


      硅基GaN與硅基CMOS驅動電路進行晶圓級邦定,去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續GaN芯片工藝。


      研發路線:先單色,后全彩。

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