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大會現場

晶能光電江西總經理在會上做主題報告“全垂直LED芯片Mini超高清顯示屏應用進展”。晶能硅基Mini LED垂直RGB芯片量產上市，物理本質上解決金屬遷移問題。

晶能光電江西總經理?

目前，Mini高清顯示屏RGB方案主要有三種：普通正裝，倒裝和垂直結構。全垂直結構的RGB方案，芯片高度一樣，都是單面出光，顯示對比度、發光角度有優異表現。

三種RGB小間距顯示屏實現方案介紹

晶能基于獲得國家技術發明獎一等獎的硅襯底藍光LED技術，開發出硅襯底垂直Mini LED藍綠芯片應用于戶內外高清顯示屏，優勢明顯：

1. 硅襯底垂直Mini LED藍綠芯片，芯片一致性、穩定性以及可靠性好；

2. 垂直結構的藍綠芯片與紅光芯片特性相近，可以大幅降低當前多數屏幕容易出現的毛毛蟲異常；

3. 封裝廠現有大部分設備可以無縫對接，大大降低封裝廠固定資產投入；

4. 垂直芯片為方形設計，固晶窗口更大；?

5. 適應多種封裝形式：IMD，1010和 COB等。

晶能硅襯底垂直Mini LED芯片 RGB與TS(水平芯片)-RGB性能對比：晶能硅襯底垂直Mini LED芯片5*5mil，TS為行業D公司5*6mil，硅襯底垂直Mini LED芯片因單面發光，無側光，隨著間距的變小相較于TS，光干擾更少，亮度損失越少，所以硅襯底垂直Mini LED芯片在越小間距上發光強度和顯示清晰度方面有優勢。

全垂直結構在顯示屏應用中的優勢分析（一）：

• 單面出光，朗勃發光形貌，出光均勻，容易配光，散熱好，顯示效果清晰。

• 垂直電極結構，電流分布更均勻，IV曲線一致性好，水平芯片因電極在同側，有電流堵塞，光斑均勻性差。

全垂直結構在顯示屏應用中的優勢分析（二）：

水平芯片容易發生離子遷移的幾大因素：溫度，濕度，電位差和電極材料等。

模組PCB電極或線條之間只要存在電位差，這種潛在金屬遷移趨勢就已經形成，往往從最薄弱（即：距離最小或電位差最大的）? 地方首先發生遷移，造成漏電。我們所能做的只是設法延長從開始形成遷移的趨勢到因遷移而導致產品失效的過程時間而已。

全垂直結構在顯示屏應用中的優勢分析(三）：

1. 垂直結構的藍綠芯片表面為全惰性金屬電極，主要性能與紅光垂直芯片一樣。普通水平芯片電極材料使用了Cr、Al、ITO ,這些材料活性較強，極容易發生金屬遷移，打金線只能延緩發生離子遷移的時間，銅線普遍應用在IC封裝中。

2. 垂直結構芯片正負極之間距離大于135um，相對于水平芯片正負極之間距離小于35um，即使發生金屬離子遷移后的垂直芯片燈珠命會比水平芯片高4倍以上。

3. 垂直結構芯片較普通水平芯片可以少打兩根線，可有效增加焊線設備產能30%以上，打線不良率可以降低一個數量級以上。

4. 垂直結構芯片較普通水平芯片散熱性能更好，燈內溫度更低。

晶能硅襯底垂直Mini LED芯片應用方案：

全垂直方案的性能和可靠性與全倒裝方案基本一致，同時成本又與水平方案相當。用Micro的技術路線與硅襯底垂直Mini LED芯片相結合，在降低技術難度的同時，可以讓4K、8K Mini超高清顯示的LED大屏幕產品走進千家萬戶成為可能。

總的來說，4K、8K Mini超高清顯示大屏在5G技術的驅動下勢不可擋，晶能硅襯底垂直Mini LED芯片有機會提供一個超高性價比光源解決方案。